RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3007
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link