RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
20.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
4217
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link