RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
69
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
42
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2476
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link