RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
80
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
80
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1564
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link