RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
69
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2834
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link