RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2631
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link