RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2179
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link