RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
69
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
44
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
10.6
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2374
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link