RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
58
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.2
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3990
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link