RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
58
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2359
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link