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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
38
读取速度,GB/s
4,241.0
14.2
写入速度,GB/s
1,950.7
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2359
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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