RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
58
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2494
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link