RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2408
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link