RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
96
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.9
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
96
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
10.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link