RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
96
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
96
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link