RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
77
96
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link