RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
55
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
55
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2302
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link