RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
65
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
65
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2041
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link