RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
65
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
65
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2041
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link