RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3379
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link