RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
46
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
44
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3145
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link