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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
46
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
44
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3145
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Confronto tra le RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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