RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3336
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link