RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link