RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2809
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link