RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2685
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link