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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
2,909.8
15.5
写入速度,GB/s
1,519.2
12.7
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2685
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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