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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.1
17.3
写入速度,GB/s
8.6
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3359
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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