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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.2
17.4
写入速度,GB/s
8.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3138
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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