RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3406
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link