RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3406
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link