RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3593
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link