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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.0
写入速度,GB/s
1,519.2
14.1
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3593
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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