RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3544
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link