RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3255
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link