RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3017
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link