RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2339
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link