RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9905663-016.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2261
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link