Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.6

Среднее значение в тестах

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Причины выбрать
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 46

Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.2 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 17.6
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 3524

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Kingston 9905417-061.A00G 4GB

Kingston 9905417-061.A00G 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM

ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM