RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3243
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link