RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2502
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link