RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2616
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link