RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2616
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link