Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 46

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.7 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 32
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 14.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2434

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB

модули RAM