RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2382
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link