RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2155
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link