RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2751
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link