RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3009
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link