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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 17.1
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 46
    左右 -28% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 3200
    左右 6.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    2,909.8 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    1,519.2 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 3009

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Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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内存RAM
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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