RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
73
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
73
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1843
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link