RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
73
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
73
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1843
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. 16GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link